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何军 
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张甜
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品牌/型号:MagnaChip美格纳半导体/MDHT3N40URH 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMDSO/表面封装 开启电压:5（V） 跨导:2000（μS） 极间电容:167（pF） 漏极电流:1500（mA） 耗散功率:2100（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:MagnaChip美格纳半导体/MDZ1N60UMH 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:750（μS） 极间电容:130（pF） 漏极电流:400（mA） 耗散功率:2500（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRF3205 种类:绝缘栅MOSFET 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 跨导:44000（μS） 极间电容:211（pF） 漏极电流:110000（mA） 耗散功率:200000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFS5615PBF 种类:结型JFET 用途:NF/音频低频 封装外形:SMDSO/表面封装 开启电压:5（V） 夹断电压:20（V） 跨导:35000（μS） 极间电容:1750（pF） 漏极电流:33000（mA） 耗散功率:144000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:ST意法半导体/STP11NK50Z 种类:绝缘栅MOSFET 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:7700（μS） 极间电容:1390（pF） 漏极电流:10000（mA） 耗散功率:125000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:ON/MTD6N20E 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMDSO/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 跨导:1500（μS） 极间电容:480（pF） 漏极电流:6000（mA） 耗散功率:50000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:FAIRCHILD/仙童/KA5M0380RYDTU 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:30（V） 极间电容:779（pF） 漏极电流:3000（mA） 耗散功率:75000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRF540NL 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:21000（μS） 极间电容:1960（pF） 漏极电流:33000（mA） 耗散功率:130000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRL530NLPBF 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:2（V） 跨导:7700（μS） 极间电容:800（pF） 漏极电流:17000（mA） 耗散功率:79000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFP140N 种类:结型JFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:11000（μS） 极间电容:1400（pF） 漏极电流:33000（mA） 耗散功率:140000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRF630N 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 夹断电压:20（V） 跨导:4900（μS） 极间电容:575（pF） 漏极电流:9300（mA） 耗散功率:82000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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