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会员年限:14年
品牌/型号:ON/NTD18N06L 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMDSO/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 跨导:13500(μS) 极间电容:675(pF) 漏极电流:18000(mA) 耗散功率:55000(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFU4620PBF 种类:结型JFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5(V) 夹断电压:20(V) 跨导:37000(μS) 极间电容:1710(pF) 漏极电流:24000(mA) 耗散功率:144000(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:MagnaChip美格纳半导体/MDD6N60GRH 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMDSO/表面封装 开启电压:5(V) 夹断电压:30(V) 跨导:5000(μS) 极间电容:865(pF) 漏极电流:4500(mA) 耗散功率:73000(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:ON/NTD5865NLT4G 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMDSO/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 跨导:15000(μS) 极间电容:1400(pF) 漏极电流:40000(mA) 耗散功率:52000(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFB4115GPBF 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5(V) 夹断电压:20(V) 跨导:97000(μS) 极间电容:5270(pF) 漏极电流:104000(mA) 耗散功率:380000(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:FAIRCHILD/仙童/NDS352AP 种类:绝缘栅MOSFET 用途:S/开关 封装外形:SMDSO/表面封装 开启电压:2.5(V) 跨导:1900(μS) 极间电容:135(pF) 漏极电流:900(mA) 耗散功率:500(mW) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFB4615PBF 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5(V) 夹断电压:20(V) 跨导:35000(μS) 极间电容:1750(pF) 漏极电流:35000(mA) 耗散功率:144000(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:ON/MTB30P06V 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMDSO/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 跨导:79000(μS) 极间电容:2190(pF) 漏极电流:30000(mA) 耗散功率:125000(mW) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFB4020PBF 种类:绝缘栅MOSFET 用途:NF/音频低频 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5(V) 跨导:24000(μS) 极间电容:1200(pF) 漏极电流:18000(mA) 耗散功率:100000(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:VISHAY/IRFBG30PBF 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:1000(V) 跨导:2100(μS) 极间电容:980(pF) 耗散功率:125000(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFB260N 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4(V) 跨导:29000(μS) 极间电容:4220(pF) 漏极电流:56000(mA) 耗散功率:380000(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
发布询价品牌/型号:MagnaChip美格纳半导体/MDF16N50GTH 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5(V) 跨导:14800(μS) 极间电容:1724(pF) 漏极电流:16000(mA) 耗散功率:49400(mW) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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