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何军 
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张甜
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF7NM60N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 极间电容:363（pF） 漏极电流:5000（mA） 耗散功率:20000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF12N50TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:15000（μS） 极间电容:1030（pF） 漏极电流:11500（mA） 耗散功率:42000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STD3NK100Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:2400（μS） 极间电容:601（pF） 漏极电流:2500（mA） 耗散功率:90000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP5N50ZTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:500（pF） 漏极电流:5000（mA） 耗散功率:93000（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:NTP6413AN 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 跨导:17900（μS） 极间电容:1800（pF） 漏极电流:42000（mA） 耗散功率:136000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF630N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 夹断电压:20（V） 跨导:4900（μS） 极间电容:575（pF） 漏极电流:9300（mA） 耗散功率:82000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STU8NM50N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 夹断电压:25（V） 极间电容:364（pF） 漏极电流:5000（mA） 耗散功率:45000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF3N80C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 跨导:3000（μS） 极间电容:705（pF） 漏极电流:3000（mA） 耗散功率:39000（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:NTD5865NT4G 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 跨导:6900（μS） 极间电容:1261（pF） 漏极电流:38000（mA） 耗散功率:52000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD1655RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 跨导:26000（μS） 极间电容:719（pF） 漏极电流:25000（mA） 耗散功率:50000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF7N80C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 跨导:5500（μS） 极间电容:1290（pF） 漏极电流:6600（mA） 耗散功率:5600（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP9N50TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:7000（μS） 极间电容:780（pF） 漏极电流:9000（mA） 耗散功率:120000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF6N60C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:4（V） 跨导:4800（μS） 极间电容:810（pF） 漏极电流:5500（mA） 耗散功率:40000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP9N50C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 跨导:6500（μS） 极间电容:1030（pF） 漏极电流:9000（mA） 耗散功率:135000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP44N10 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:30000（μS） 极间电容:1800（pF） 耗散功率:146000（mW）
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