相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
IR美国国际整流器公司/IRF540NL
绝缘栅MOSFET
V-FET/V型槽MOS
CER-DIP/陶瓷直插
4(V)
21000(μS)
1960(pF)
33000(mA)
130000(mW)
N沟道
增强型
•封装形式:TO-262
•导通电阻:RDS(ON)=44mΩ
•栅极电荷量:QGD=21nC
• 反向恢复时间:Trr=170nS
•漏极电流:ID=33A @ TC=25°C
•漏源电压:VDSS=150V
•工作温度范围:-55 ~ 175°C