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何军 
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张甜
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF5N95K3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 极间电容:460（pF） 漏极电流:4000（mA） 耗散功率:25000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF6N90C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF7N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:8500（μS） 极间电容:750（pF） 漏极电流:7000（mA） 耗散功率:42000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRGS14C40L 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:2.2（V） 跨导:19000（μS） 极间电容:825（pF） 漏极电流:20000（mA） 耗散功率:125000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD1901RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:标准（V） 跨导:标准（μS） 极间电容:标准（pF） 漏极电流:35000（mA） 耗散功率:标准（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF10N65BTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:10600（μS） 极间电容:1202（pF） 漏极电流:10000（mA） 耗散功率:47700（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FCP4N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 材料:MES金属半导体 跨导:3200（μS） 极间电容:415（pF） 漏极电流:3900（mA） 耗散功率:50000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF5N50FTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 跨导:3300（μS） 极间电容:650（pF） 漏极电流:4500（mA） 耗散功率:27000（mW）
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品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SK3569 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STN1NK80Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:4.5（V） 跨导:800（μS） 极间电容:160（pF） 漏极电流:250（mA） 耗散功率:2500（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF21N65M5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 极间电容:1950（pF） 漏极电流:17000（mA） 耗散功率:30000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFSL5615PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:NF/音频(低频) 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:35000（μS） 极间电容:1750（pF） 漏极电流:33000（mA） 耗散功率:144000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF3415 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 夹断电压:20（V） 跨导:19000（μS） 极间电容:2400（pF） 漏极电流:43000（mA） 耗散功率:200000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD2N60RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 跨导:500（μS） 极间电容:275（pF） 漏极电流:1900（mA） 耗散功率:42000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF2N90 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 跨导:1600（μS） 极间电容:390（pF） 漏极电流:1400（mA） 耗散功率:35000（mW）
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