相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
IR美国国际整流器公司/IRL530NLPBF
绝缘栅MOSFET
V-FET/V型槽MOS
CER-DIP/陶瓷直插
2(V)
7700(μS)
800(pF)
17000(mA)
79000(mW)
N沟道
增强型
•封装形式:TO-262
•导通电阻:RDS(ON)=100mΩ
•栅极电荷量:QGD=20nC
• 反向恢复时间:Trr=210nS
•漏极电流:ID=17A @ TC=25°C
•漏源电压:VDSS=100V
•工作温度范围:-55 ~ 175°C