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何军 
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张甜
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品牌/型号:ST意法半导体/VND7NV04 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMDSO/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:40（V） 漏极电流:400（mA） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STW77N65M5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 极间电容:9800（pF） 漏极电流:69000（mA） 耗散功率:400000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF18N50GTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:2430（pF） 漏极电流:18000（mA） 耗散功率:37000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB31N20D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5（V） 跨导:17000（μS） 极间电容:2370（pF） 漏极电流:31000（mA） 耗散功率:200000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF6N80C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 跨导:5400（μS） 极间电容:1010（pF） 漏极电流:5500（mA） 耗散功率:51000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF19N20C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP5N50TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:500（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:500（pF） 漏极电流:5000（mA） 耗散功率:93000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFI540NPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:11000（μS） 极间电容:1400（pF） 漏极电流:20000（mA） 耗散功率:54000（mW）
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品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SK3878 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 跨导:7000（μS） 极间电容:2200（pF） 漏极电流:9000（mA） 耗散功率:150000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STB6NK90Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:1350（pF） 漏极电流:5800（mA） 耗散功率:140000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD9754RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 跨导:20000（μS） 极间电容:440（pF） 耗散功率:15600（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB23N20D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:1960（pF） 漏极电流:24000（mA） 耗散功率:170000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFS52N15D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:5（V） 夹断电压:150（V） 跨导:19000（μS） 极间电容:2770（pF） 漏极电流:60000（mA） 耗散功率:320000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF13N65BTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:3700（μS） 极间电容:2400（pF） 漏极电流:14000（mA） 耗散功率:36700（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD1752RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:3（V） 跨导:58000（μS） 极间电容:1480（pF） 漏极电流:50000（mA） 耗散功率:32000（mW）
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