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何军 
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张甜
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP4N90C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:960（pF） 漏极电流:4000（mA） 耗散功率:140000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STB11NM60FD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:5200（μS） 极间电容:900（pF） 漏极电流:11000（mA） 耗散功率:160000（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:2SK3708 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:2.6（V） 夹断电压:20（V） 跨导:28000（μS） 极间电容:4200（pF） 漏极电流:30000（mA） 耗散功率:2000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP7N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:TV/电视 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:8500（μS） 极间电容:750（pF） 耗散功率:131000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF3315S 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:4（V） 夹断电压:150（V） 跨导:17000（μS） 极间电容:1300（pF） 漏极电流:21000（mA） 耗散功率:94000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF640NPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STB42N65M5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 极间电容:4650（pF） 漏极电流:33000（mA） 耗散功率:190000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF9N90C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 漏极电流:8000（mA） 耗散功率:68000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF44N10 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF2N80 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:2200（μS） 极间电容:550（pF） 漏极电流:1500（mA） 耗散功率:35000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP33N10 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 跨导:22000（μS） 极间电容:1500（pF） 漏极电流:33000（mA） 耗散功率:127000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STFW60N65M5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 极间电容:6810（pF） 漏极电流:46000（mA） 耗散功率:79000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB61N15D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:22000（μS） 极间电容:3470（pF） 漏极电流:60000（mA） 耗散功率:330000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP7N65C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:MES金属半导体 跨导:8000（μS） 极间电容:955（pF） 耗散功率:160000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF18N50TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:2430（pF） 漏极电流:18000（mA） 耗散功率:37000（mW）
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