安森美功率MOS管——MTD6N20E_上海贝臣电子有限公司

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企业信息

上海贝臣电子有限公司

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营业执照：已审核

身份证：已认证

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：上海上海市

企业网站：
http://www.basean.com

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会员年限：14年

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张甜

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传真：021-39121309

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安森美功率MOS管——MTD6N20E

安森美功率MOS管——MTD6N20E

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安森美功率MOS管——MTD6N20E

品牌/型号：

ON/MTD6N20E

种类：

绝缘栅MOSFET

用途：

V-FET/V型槽MOS

封装外形：

SMDSO/表面封装

材料：

N-FET硅N沟道

跨导：

1500（μS）

极间电容：

480（pF）

漏极电流：

6000（mA）

耗散功率：

50000（mW）

沟道类型：

N沟道

导电方式：

增强型

QQ:1985076583

询价

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: IR 原装音频MOS——IRFS5615PBF

产品信息

N−Channel 6Amps 200 Volts Power MOSFET

•无铅包装

•封装：DPAK(TO-252)

•工作温度范围：-55 to 150°C

•开启延迟时间：17.6ns

•关断延迟时间：44ns

•导通电阻: R=460mΩ

•耗散功率： P_D=50W

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