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何军 
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张甜
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFR13N15D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:5.5（V） 夹断电压:150（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:620（pF） 漏极电流:14000（mA） 耗散功率:86000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FCPF22N60NT 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:22000（μS） 极间电容:1950（pF） 漏极电流:22000（mA） 耗散功率:39000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF1405PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:TR/激励、驱动 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 跨导:69000（μS） 极间电容:5480（pF） 漏极电流:169000（mA） 耗散功率:330000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FCP11N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:MES金属半导体 开启电压:5（V） 跨导:9700（μS） 极间电容:1490（pF） 漏极电流:11000（mA） 耗散功率:125000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP7N80C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:5500（μS） 极间电容:1680（pF） 漏极电流:6600（mA） 耗散功率:167000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB23N15D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:11000（μS） 极间电容:1200（pF） 漏极电流:23000（mA） 耗散功率:136000（mW）
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