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何军 
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张甜
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STW4N150 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:3500（μS） 极间电容:1300（pF） 漏极电流:4000（mA） 耗散功率:160000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF7N65C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDQ18N50GTP 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:1724（pF） 漏极电流:20000（mA） 耗散功率:265000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD2602RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:2.7（V） 跨导:30000（μS） 极间电容:1930（pF） 漏极电流:58000（mA） 耗散功率:40300（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD5N50GRH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:650（pF） 漏极电流:4400（mA） 耗散功率:70000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB260N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:29000（μS） 极间电容:4220（pF） 漏极电流:56000（mA） 耗散功率:380000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF11N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:1700（pF） 漏极电流:11000（mA） 耗散功率:49000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB4229PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:83000（μS） 极间电容:4560（pF） 漏极电流:46000（mA） 耗散功率:330000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP20N95K5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 极间电容:1700（pF） 漏极电流:15500（mA） 耗散功率:210000（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:NTB6410AN 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 夹断电压:20（V） 跨导:40000（μS） 极间电容:4500（pF） 漏极电流:76000（mA） 耗散功率:188000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDI4N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:4000（mA） 耗散功率:1（mW）
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品牌/商标:STI美国半导体技术 型号/规格:STP14NK50Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 跨导:12000（μS） 极间电容:2000（pF） 漏极电流:14000（mA） 耗散功率:150000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP3N150 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:2600（μS） 极间电容:939（pF） 漏极电流:2500（mA） 耗散功率:140000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP4N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:600（V） 跨导:4000（μS） 极间电容:506（pF） 漏极电流:4000（mA） 耗散功率:92500（mW）
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