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何军 
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张甜
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STB9NK90Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 极间电容:2115（pF） 漏极电流:8000（mA） 耗散功率:160000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:VND14NV04-E 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5（V） 跨导:18000（μS） 极间电容:400（pF） 漏极电流:12000（mA） 耗散功率:74000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF2HNK60Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 跨导:1500（μS） 极间电容:280（pF） 漏极电流:2000（mA） 耗散功率:20000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP5N60C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 跨导:4700（μS） 极间电容:515（pF） 漏极电流:4500（mA） 耗散功率:100000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STW13NK100Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:14000（μS） 极间电容:6000（pF） 漏极电流:13000（mA） 耗散功率:350000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FCP16N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 材料:MES金属半导体 跨导:13000（μS） 极间电容:15630——2170（pF） 漏极电流:16000（mA） 耗散功率:134400（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FCP7N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:6000（μS） 极间电容:920（pF） 漏极电流:7000（mA） 耗散功率:83000（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:2N7002E 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5（V） 跨导:530（μS） 极间电容:40（pF） 漏极电流:310（mA） 耗散功率:300（mW）
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品牌/商标:MagnaChip（美格纳半导体） 型号/规格:MDF4N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF4N90C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 开启电压:5（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:740-960（pF） 漏极电流:4000（mA） 耗散功率:47000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF10N65K3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 极间电容:1180（pF） 漏极电流:10000（mA） 耗散功率:35000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD3N50GRH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:5（V） 跨导:4800（μS） 极间电容:285（pF） 漏极电流:2800（mA） 耗散功率:45000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD2605RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.7（V） 跨导:30000（μS） 极间电容:1270（pF） 漏极电流:48000（mA） 耗散功率:34700（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP2N60C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 漏极电流:2000（mA） 耗散功率:54000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STD10NM65N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:4（V） 跨导:7500（μS） 极间电容:850（pF） 漏极电流:9000（mA） 耗散功率:90000（mW）
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