相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
TOSHIBA/东芝
2SK3569
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
Switching Regulator Applications
封装形式:TO-220F
存储温度范围:-55 ~ 150°C
导通电阻RDS (ON):0.75Ω
SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
电压, Vds :600V
表面安装器件:通孔安装
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