相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
IR/国际整流器
IRFSL5615PBF
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
NF/音频(低频)
CER-DIP/陶瓷直插
5(V)
35000(μS)
1750(pF)
33000(mA)
144000(mW)
•封装形式:TO-262
•导通电阻:RDS(ON)=42mΩ
•栅极电荷量:QGD=9nC
• 反向恢复时间:Trr=120nS
•漏极电流:ID=33A @ TC=25°C
•漏源电压:VDSS=150V
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
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