相关证件：
会员类型：
会员年限：14年
何军 
电话：021-39121306
手机：13564001680
张甜
电话：021-39121306
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB33N15D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5（V） 跨导:14000（μS） 极间电容:2020（pF） 漏极电流:33000（mA） 耗散功率:170000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STB15NM60ND 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:5（V） 夹断电压:25（V） 跨导:10000（μS） 极间电容:1250（pF） 漏极电流:14000（mA） 耗散功率:125000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPA11N60C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:650（V） 极间电容:1200（pF） 漏极电流:11000（mA） 耗散功率:33000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF9N50TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:7000（μS） 极间电容:780（pF） 漏极电流:9000（mA） 耗散功率:38000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP15N60GTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:11500（μS） 极间电容:2311（pF） 漏极电流:15000（mA） 耗散功率:231400（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP10NK60ZFP 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 跨导:7800（μS） 极间电容:1370（pF） 耗散功率:35000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP5N50FTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:500（V） 跨导:3300（μS） 极间电容:500（pF） 漏极电流:4500（mA） 耗散功率:27000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDI2N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:500（μS） 极间电容:360（pF） 漏极电流:1900（mA） 耗散功率:42000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP13N50GTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:1390（pF） 漏极电流:13000（mA） 耗散功率:187000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:2N7002W 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5（V） 跨导:530（μS） 极间电容:24.5（pF） 漏极电流:30000（mA） 耗散功率:330（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:ST/意法 型号/规格:VN380SP 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:6-24（V） 夹断电压:27（V） 极间电容:1000（pF）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD1851RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3（V） 跨导:50000（μS） 极间电容:1480（pF） 漏极电流:50000（mA） 耗散功率:45000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDHT3N40URH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 跨导:2000（μS） 极间电容:167（pF） 漏极电流:1500（mA） 耗散功率:2100（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD5N50RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:500（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:500（pF） 漏极电流:4400（mA） 耗散功率:70000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MMFT960 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3.5（V） 极间电容:65（pF） 漏极电流:300（mA） 耗散功率:800（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
电话：021-39121306/021-39121306
QQ：
