相关证件: 
会员类型:
会员年限:15年
ON/NTD5865NLT4G
绝缘栅MOSFET
V-FET/V型槽MOS
SMDSO/表面封装
N-FET硅N沟道
15000(μS)
1400(pF)
40000(mA)
52000(mW)
N沟道
增强型
N−Channel 40 Amps 60 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装:DPAK(TO-252)
•工作温度范围:-55 to 150°C
•开启延迟时间:84ns
•关断延迟时间:26ns
•导通电阻: R=16mΩ @10V
•耗散功率: PD=52W