相关证件: 
会员类型:
会员年限:15年
ON/NTD18N06L
绝缘栅MOSFET
V-FET/V型槽MOS
SMDSO/表面封装
N-FET硅N沟道
13500(μS)
675(pF)
18000(mA)
55000(mW)
N沟道
增强型
N−Channel 18Amps 60 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装:DPAK(TO-252)
•工作温度范围:-55 to 175°C
•开启延迟时间:20ns
•关断延迟时间:40ns
•导通电阻: R=54mΩ @5V
•耗散功率: PD=55W