相关证件: 
会员类型:
会员年限:15年
ON/MTB30P06V
绝缘栅MOSFET
V-FET/V型槽MOS
SMDSO/表面封装
P-FET硅P沟道
79000(μS)
2190(pF)
30000(mA)
125000(mW)
P沟道
增强型
N−Channel 30Amps 60 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装:D2PAK(TO-263)
•工作温度范围:-55 to 175°C
•开启延迟时间:30ns
•关断延迟时间:200ns
•导通电阻: R=80mΩ @10V
•耗散功率: PD=125W