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何军 
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张甜
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF90N10V2 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 跨导:41000（μS） 极间电容:2500（pF） 耗散功率:62000（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:NTF3055-100T1G 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 跨导:32000（μS） 极间电容:455（pF） 漏极电流:3000（mA） 耗散功率:2100（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB5620PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:NF/音频(低频) 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:20（V） 跨导:37000（μS） 极间电容:1710（pF） 漏极电流:25000（mA） 耗散功率:144000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP19N20 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:14500（μS） 极间电容:1600（pF） 漏极电流:19400（mA） 耗散功率:140000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF3515L 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 夹断电压:150（V） 跨导:15000（μS） 极间电容:2260（pF） 漏极电流:41000（mA） 耗散功率:200000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP20NM60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:600V（V） 跨导:11000（μS） 极间电容:1500（pF） 漏极电流:20000（mA） 耗散功率:192000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STB13NK60ZT4 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:4.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:11000（μS） 极间电容:2030（pF） 漏极电流:13000（mA） 耗散功率:150000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD4N60RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:4000（μS） 极间电容:506（pF） 漏极电流:3500（mA） 耗散功率:67500（mW）
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品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPP20N60S5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 材料:MES金属半导体 夹断电压:700（V） 跨导:12000（μS） 极间电容:3000（pF） 漏极电流:20000（mA） 耗散功率:208000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB4332PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:100000（μS） 极间电容:5860（pF） 漏极电流:60000（mA） 耗散功率:390000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:VNS3NV04DTR-E 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:40（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:150（pF） 漏极电流:3500（mA） 耗散功率:4000（mW）
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品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPA20N60C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 跨导:17500（μS） 极间电容:2400（pF） 漏极电流:20700（mA） 耗散功率:34500（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF9N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:7000（μS） 极间电容:1160（pF） 漏极电流:9000（mA） 耗散功率:48000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP12N60C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 材料:MES金属半导体 跨导:13000（μS） 极间电容:1760（pF） 漏极电流:12000（mA） 耗散功率:225000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF15NM65N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:4（V） 极间电容:983（pF） 漏极电流:12000（mA） 耗散功率:30000（mW）
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