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何军 
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张甜
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP5N95K3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 极间电容:460（pF） 漏极电流:4000（mA） 耗散功率:90000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFP4710PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5（V） 跨导:35000（μS） 极间电容:6160（pF） 漏极电流:72000（mA）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF6N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:860（pF） 漏极电流:6000（mA） 耗散功率:37900（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STB13NM60N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:4（V） 夹断电压:25（V） 极间电容:790（pF） 漏极电流:11000（mA） 耗散功率:90000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB4019PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:NF/音频(低频) 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:150（V） 跨导:14000（μS） 极间电容:800（pF） 漏极电流:17000（mA） 耗散功率:80000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP11N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:MES金属半导体 开启电压:5（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:1700（pF） 漏极电流:11000（mA） 耗散功率:182000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STI8N65M5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 极间电容:690（pF） 漏极电流:7000（mA） 耗散功率:70000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF9N50C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 跨导:6500（μS） 极间电容:790（pF） 耗散功率:44000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP10N60C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 材料:MES金属半导体 跨导:8000（μS） 极间电容:1570（pF） 漏极电流:9500（mA） 耗散功率:156000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD2603RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:2.7（V） 跨导:30000（μS） 极间电容:1760（pF） 漏极电流:57000（mA） 耗散功率:39000（mW）
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品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SK4108 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 跨导:14000（μS） 极间电容:3400（pF） 耗散功率:150000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF4N60BTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:4000（μS） 极间电容:505（pF） 漏极电流:4600（mA） 耗散功率:34700（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF3NK100Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 跨导:2400（μS） 极间电容:601（pF） 漏极电流:2500（mA） 耗散功率:25000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDD2604RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.7（V） 跨导:30000（μS） 极间电容:1520（pF） 漏极电流:53000（mA） 耗散功率:36700（mW）
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