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何军 
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张甜
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:NTD3055L104 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 跨导:9100（μS） 极间电容:440（pF） 漏极电流:12000（mA） 耗散功率:48000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STU2NK100Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:2400（μS） 极间电容:499（pF） 漏极电流:1850（mA） 耗散功率:70000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF8NM60ND 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:7500（μS） 极间电容:560（pF） 漏极电流:7000（mA） 耗散功率:25000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF7N60BTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:7500（μS） 极间电容:800（pF） 漏极电流:7000（mA） 耗散功率:42000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP4N150 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:3500（μS） 极间电容:1300（pF） 漏极电流:4000（mA） 耗散功率:160000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDS9651URH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:3（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:874（pF） 漏极电流:6900（mA） 耗散功率:2000（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:NTD18N06L 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3.5（V） 跨导:13.5（μS） 极间电容:675（pF） 漏极电流:18000（mA） 耗散功率:55000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FCP20N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STW9N150 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 极间电容:3600（pF） 漏极电流:8000（mA） 耗散功率:350000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP140NF75 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 跨导:160000（μS） 极间电容:5000（pF） 漏极电流:120000（mA） 耗散功率:310000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF7815PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:5（V） 夹断电压:150（V） 跨导:8200（μS） 极间电容:1647（pF） 漏极电流:5100（mA） 耗散功率:2500（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDI5N40TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 跨导:2000（μS） 极间电容:290（pF） 漏极电流:3400（mA） 耗散功率:45000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP10N50TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30（V） 夹断电压:500（V） 跨导:12800（μS） 极间电容:862（pF） 漏极电流:10000（mA） 耗散功率:141000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip（美格纳半导体） 型号/规格:MDF8N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP13N50C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:15000（μS） 极间电容:2055（pF） 漏极电流:13000（mA） 耗散功率:195000（mW）
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