相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
STI美国半导体技术
STP14NK50Z
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
12000(μS)
2000(pF)
14000(mA)
150000(mW)
N沟道500V-0.34ohm-14A齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•开启延迟时间:24ns
•关断延迟时间:54ns
应用:
大电流、高速开关
护士理想用于离线电力供应,
适配器和全氟化碳的
照明
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