相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
INFINEON/英飞凌
SPA11N60C3
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
650(V)
1200(pF)
11000(mA)
33000(mW)
Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
•工作温度范围:-55 to 150 °C
•开启延迟时间:10ns
•关断延迟时间:44ns
•SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
•表面安装器件:通孔安装
•功耗:33W
•封装类型:TO-220F