相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
0N/安森美
NTD5865NT4G
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
4(V)
6900(μS)
1261(pF)
38000(mA)
N−Channel 38Amps 60 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装:DPAK(TO-252)
•工作温度范围:-55 to 150°C
•开启延迟时间:10ns
•关断延迟时间:20ns
•导通电阻: R=18mΩ @10V
•耗散功率: PD=52W