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何军 
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张甜
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF13N50GTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:1390（pF） 漏极电流:13000（mA） 耗散功率:42000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP12N50TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF12N50FTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 跨导:5000（μS） 极间电容:1300（pF） 漏极电流:11500（mA） 耗散功率:42000（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:NTB45N06L 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3（V） 跨导:22.8（μS） 极间电容:1700（pF） 漏极电流:45000（mA） 耗散功率:125000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF2N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:500（μS） 极间电容:275（pF） 漏极电流:2000（mA） 耗散功率:22700（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MMBF170L 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3（V） 极间电容:60（pF） 漏极电流:500（mA） 耗散功率:225（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP9NM60N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 夹断电压:25（V） 跨导:7500（μS） 极间电容:880（pF） 漏极电流:9000（mA） 耗散功率:100000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP6N120K3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 极间电容:1050（pF） 漏极电流:5000（mA） 耗散功率:150000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STW9NK70Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 跨导:5300（μS） 极间电容:1370（pF） 漏极电流:7500（mA） 耗散功率:156000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP3NK60ZFP 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:1800（μS） 极间电容:311（pF） 漏极电流:2400（mA） 耗散功率:20000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STW5NK100Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:4000（μS） 极间电容:1154（pF） 漏极电流:13000（mA） 耗散功率:125000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:KA5L0380RYDTU 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 跨导:2500（μS） 极间电容:779（pF） 漏极电流:3000（mA） 耗散功率:75000（mW）
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品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MTD6N15 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 跨导:2500（μS） 极间电容:1200（pF） 漏极电流:6000（mA） 耗散功率:20000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB5615PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:NF/音频(低频) 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:20（V） 跨导:35000（μS） 极间电容:1750（pF） 漏极电流:35000（mA） 耗散功率:144000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQA9N90C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 跨导:0（μS） 极间电容:2100（pF） 漏极电流:9000（mA） 耗散功率:280000（mW）
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