相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
ST/意法
VNS3NV04DTR-E
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
40(V)
5000(μS)
150(pF)
3500(mA)
4000(mW)
autoprotected Power MOSFET
•开启延迟时间:90ns
•关断延迟时间:450ns
•漏源极夹断电压:40V
•开态电阻RON:120mΩ
•封装类型:SO-8
•针脚数:8
•安装形式:表贴
•配置图(顶视图)