相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
ST/意法
STP20NM60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
CER-DIP/陶瓷直插
600V(V)
11000(μS)
1500(pF)
20000(mA)
192000(mW)
N沟道600V的- 0.25Ω- 20A功率MOSFET
•器件标识:P20NM60
•封装类型:TO-220
•功率损耗:192W
•工作温度范围:-65 ~ 150°C
•开启延迟时间:25ns
•关断延迟时间:42ns