相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
0N/安森美
MTD6N15
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
2500(μS)
1200(pF)
6000(mA)
20000(mW)
N−Channel 6Amps 150 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装:DPAK(TO-252)
•工作温度范围:-65 to 150°C
•开启延迟时间:50ns
•关断延迟时间:200ns
•导通电阻: R=300mΩ
•耗散功率: PD=20W