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何军 
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张甜
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品牌/型号:ON/NTD5865NLT4G 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMDSO/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 跨导:15000（μS） 极间电容:1400（pF） 漏极电流:40000（mA） 耗散功率:52000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFB4115GPBF 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 夹断电压:20（V） 跨导:97000（μS） 极间电容:5270（pF） 漏极电流:104000（mA） 耗散功率:380000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:FAIRCHILD/仙童/NDS352AP 种类:绝缘栅MOSFET 用途:S/开关 封装外形:SMDSO/表面封装 开启电压:2.5（V） 跨导:1900（μS） 极间电容:135（pF） 漏极电流:900（mA） 耗散功率:500（mW） 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFB4615PBF 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5（V） 夹断电压:20（V） 跨导:35000（μS） 极间电容:1750（pF） 漏极电流:35000（mA） 耗散功率:144000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:ON/MTB30P06V 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMDSO/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 跨导:79000（μS） 极间电容:2190（pF） 漏极电流:30000（mA） 耗散功率:125000（mW） 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:MagnaChip美格纳半导体/MDP4N60TH 种类:绝缘栅MOSFET 用途:UHF/超高频 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFB4020PBF 种类:绝缘栅MOSFET 用途:NF/音频低频 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:24000（μS） 极间电容:1200（pF） 漏极电流:18000（mA） 耗散功率:100000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:VISHAY/IRFBG30PBF 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:1000（V） 跨导:2100（μS） 极间电容:980（pF） 耗散功率:125000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFB260N 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:29000（μS） 极间电容:4220（pF） 漏极电流:56000（mA） 耗散功率:380000（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:MagnaChip美格纳半导体/MDF16N50GTH 种类:绝缘栅MOSFET 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:14800（μS） 极间电容:1724（pF） 漏极电流:16000（mA） 耗散功率:49400（mW） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/型号:ST意法半导体/VND7NV04 种类:绝缘栅MOSFET 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMDSO/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:40（V） 漏极电流:400（mA） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STW77N65M5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 极间电容:9800（pF） 漏极电流:69000（mA） 耗散功率:400000（mW）
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品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF18N50GTH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5（V） 跨导:13000（μS） 极间电容:2430（pF） 漏极电流:18000（mA） 耗散功率:37000（mW）
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