相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDP7N60TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:TV/电视 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5(V) 跨导:8500(μS) 极间电容:750(pF) 耗散功率:131000(mW)
发布询价品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF3315S 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:4(V) 夹断电压:150(V) 跨导:17000(μS) 极间电容:1300(pF) 漏极电流:21000(mA) 耗散功率:94000(mW)
发布询价品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF640NPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
发布询价品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STB42N65M5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 极间电容:4650(pF) 漏极电流:33000(mA) 耗散功率:190000(mW)
发布询价品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF9N90C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 漏极电流:8000(mA) 耗散功率:68000(mW)
发布询价品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF44N10 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
发布询价品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF2N80 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5(V) 跨导:2200(μS) 极间电容:550(pF) 漏极电流:1500(mA) 耗散功率:35000(mW)
发布询价品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP33N10 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4(V) 跨导:22000(μS) 极间电容:1500(pF) 漏极电流:33000(mA) 耗散功率:127000(mW)
发布询价品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STFW60N65M5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5(V) 极间电容:6810(pF) 漏极电流:46000(mA) 耗散功率:79000(mW)
发布询价品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB61N15D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5(V) 夹断电压:30(V) 跨导:22000(μS) 极间电容:3470(pF) 漏极电流:60000(mA) 耗散功率:330000(mW)
发布询价品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP7N65C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:MES金属半导体 跨导:8000(μS) 极间电容:955(pF) 耗散功率:160000(mW)
发布询价是否提供加工定制:否 产品类型:功率二极管 是否进口:是 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MBR20200CTG 主要参数:20A;200V 用途:输出整流 备注:无铅封装
发布询价品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体) 型号/规格:MDF18N50TH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5(V) 跨导:13000(μS) 极间电容:2430(pF) 漏极电流:18000(mA) 耗散功率:37000(mW)
发布询价是否提供加工定制:否 产品类型:整流管 是否进口:是 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:ISL9R860PF2 主要参数:8A,600V 用途:开关电源 备注:整流
发布询价品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF7NM60N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4(V) 极间电容:363(pF) 漏极电流:5000(mA) 耗散功率:20000(mW)
发布询价