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何军 
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张甜
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:VND14NV04-E 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5（V） 跨导:18000（μS） 极间电容:400（pF） 漏极电流:12000（mA） 耗散功率:74000（mW）
发布询价联系人：何军/张甜
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STF2HNK60Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 跨导:1500（μS） 极间电容:280（pF） 漏极电流:2000（mA） 耗散功率:20000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP5N60C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 跨导:4700（μS） 极间电容:515（pF） 漏极电流:4500（mA） 耗散功率:100000（mW）
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品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STW13NK100Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:14000（μS） 极间电容:6000（pF） 漏极电流:13000（mA） 耗散功率:350000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FCP16N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 材料:MES金属半导体 跨导:13000（μS） 极间电容:15630——2170（pF） 漏极电流:16000（mA） 耗散功率:134400（mW）
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