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何军 
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张甜
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FCPF22N60NT 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:4（V） 跨导:22000（μS） 极间电容:1950（pF） 漏极电流:22000（mA） 耗散功率:39000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF1405PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:TR/激励、驱动 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 跨导:69000（μS） 极间电容:5480（pF） 漏极电流:169000（mA） 耗散功率:330000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FCP11N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:MES金属半导体 开启电压:5（V） 跨导:9700（μS） 极间电容:1490（pF） 漏极电流:11000（mA） 耗散功率:125000（mW）
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品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP7N80C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 跨导:5500（μS） 极间电容:1680（pF） 漏极电流:6600（mA） 耗散功率:167000（mW）
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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB23N15D 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:5.5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:11000（μS） 极间电容:1200（pF） 漏极电流:23000（mA） 耗散功率:136000（mW）
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加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:L7805ABD2T 应用范围:开关 材料:硅(Si) 极性:NPN型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装
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是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:LM317T 应用范围:开关 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极耗散功率PCM:100（W） 截止频率fT:100（MHz） 封装形式:直插型 封装材料:金属封装
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是否提供加工定制:否 产品类型:肖特基管 是否进口:是 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STPS20150CT 主要参数:20A;150V 用途:整流 备注:原装
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是否提供加工定制:否 产品类型:肖特基管 是否进口:是 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MBR0530T1G 材料:锗(Ge) 主要参数:30V,0.5A 用途:整流 备注:无铅
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是否提供加工定制:否 产品类型:稳压管 是否进口:是 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MM3Z18VT1G 材料:锗(Ge) 主要参数:200mW 用途:稳压 备注:无铅封装
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是否提供加工定制:否 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MMBT2907ALT1G 应用范围:放大 材料:硅(Si) 极性:PNP型 击穿电压VCBO:60（V） 集电极允许电流ICM:1.2（A） 集电极耗散功率PCM:0.3（W） 截止频率fT:200（MHz） 封装形式:贴片型 封装材料:陶瓷封装
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是否提供加工定制:否 产品类型:肖特基管 是否进口:是 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MBR20100CTG 主要参数:20A,100V 用途:输出整流 备注:无铅封装
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是否提供加工定制:否 产品类型:稳压管 是否进口:是 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MM3Z15VT1G 材料:锗(Ge) 主要参数:200mW 用途:稳压 备注:无铅
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是否提供加工定制:否 产品类型:整流管 是否进口:是 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FFP20UP20DNTU 主要参数:10A,200V 用途:开关电源
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是否提供加工定制:否 产品类型:整流管 是否进口:是 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FFP30S60STU 主要参数:30A,600V 用途:开关电源
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