相关证件: 
会员类型:
会员年限:14年
IR/国际整流器
IRFI540NPBF
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
CER-DIP/陶瓷直插
4(V)
11000(μS)
1400(pF)
20000(mA)
54000(mW)
•封装形式:TO-220FULLPAK
•导通电阻:RDS(ON)=52mΩ
•栅极电荷量:QGD=43nC
• 反向恢复时间:Trr=250nS
•漏极电流:ID=20A @ TC=25°C
•漏源电压:VDSS=100V
•工作温度范围:-55 ~ 175°C